7×24小時熱線:0371-60256006
在線客服加熱:1200度管式爐
爐管管徑:外徑100mm(高純石英管)
射頻電源:500W
流 量 計:四路質量流量計混氣系統(tǒng)
真 空 度:5Pa旋片泵
真空測量:電阻真空計
用途:用途:設備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。
該款PECVD系統(tǒng), 加熱元件為含鉬電阻絲(1200℃以下使用)
PECVD系統(tǒng)主要由供氣系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、射頻電源、真空系統(tǒng)等組成;
1)加熱系統(tǒng)為單溫區(qū)結構,溫區(qū)長度440mm
2)真空系統(tǒng)采用旋片泵,極限真空度5Pa,用戶也可選擇高真空(分子泵組);
3)射頻電源借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中;
4)供氣系統(tǒng)為質量流量計混氣路數(shù)4路相混合(主要根據(jù)客戶工藝要求定制);
PECVD是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體,光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物
質發(fā)生化學反應,從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給
方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點,工藝流程簡單。
1、爐膛采用日本技術真空吸附成型的高純氧化鋁多晶纖維制成,保溫效果好,耐用節(jié)能,硬度高、反射率高、溫場均衡等特點。
2、加熱元件采用含鉬電阻絲,最高發(fā)熱溫度可達1200℃。
3、通過射頻電源實現(xiàn)輝光放電等方法,產(chǎn)生等離子體。
4、數(shù)字質量流量控制系統(tǒng)是由多路質量流量計,流量顯示儀等組成,實現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制;每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。
5、爐管采用高純石英管,高溫下化學穩(wěn)定性強,熱膨脹系數(shù)極小,能承受驟冷驟熱的溫度;
掃碼加微信咨詢爐型與報價
免費提供設備報價、方案設計等服務,歡迎您隨時咨詢,我們將第一時間給予回復
質量保證
采用100%優(yōu)質原料制作,質量放心可靠。快速發(fā)貨
發(fā)貨速度快,免費安裝調試和技術培訓。售后服務
365天×24小時提供技術支持和咨詢服務。