CVD，化學(xué)氣相淀積，CVD的裝置由真空部分、加熱部分、氣路部分等構(gòu)成。  

CVD是在含有原料氣體、通過反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進(jìn)行的，因而，當(dāng)被覆涂層時(shí)，在加熱基體與流體的邊界上形成擴(kuò)散層，該層的存在，對于涂層的致密度有很大影響。這樣，由許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層雖然存在，但其析出過程是復(fù)雜的。粉體合成時(shí)，核的生成與成長的控制是工藝的重點(diǎn)。

應(yīng)用范圍

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機(jī)材料的方法。這種技術(shù)最初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。

技術(shù)特征

⑴高熔點(diǎn)物質(zhì)能夠在低溫下合成；

⑵析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點(diǎn)物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn)，作為一種新技術(shù)是大有前途的。

工藝簡介

CVD是在含有原料氣體、通過反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進(jìn)行的，因而，當(dāng)被覆涂層時(shí)，在加熱基體與流體的邊界上形成擴(kuò)散層，該層的存在，對于涂層的致密度有很大影響。這樣，由許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層雖然存在，但其析出過程是復(fù)雜的。粉體合成時(shí)，核的生成與成長的控制是工藝的重點(diǎn)。CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相淀積），指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

特點(diǎn)

沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。